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一塔半导体申请外延设备专利, 提高薄膜生长的膜厚均匀性
发布日期:2025-02-02 17:55    点击次数:156

金融界2025年1月27日消息,国家知识产权局信息显示,一塔半导体(安徽)有限公司申请一项名为“一种外延设备的反应器及外延设备”的专利,公开号CN119352149A,申请日期为2024年10月。

专利摘要显示,本发明公开了一种外延设备的反应器及外延设备,包括反应腔,所述反应腔由所述反应器的腔盖、侧壁、底座界定,所述反应腔内设有基座,所述基座上设有载片盘,加热装置;所述腔盖包括中央进气组件、冷却组件、以及围绕所述中央进气组件设置的周边进气组件,中央进气组件用于向所述反应腔中吹出反应气体,所述周边进气组件用于向所述反应腔中吹出载气,所述冷却组件包括冷却通道,所述冷却通道至少部分设置在所述中央进气组件、所述周边进气组件的边缘;当所述反应腔内进行薄膜生长时,所述周边进气组件吹出的载气可与所述反应气体相碰撞以改变所述待加工件上的薄膜生长速度。本发明可以提高薄膜生长的膜厚均匀性还能有效对腔盖进行降温。

天眼查资料显示,一塔半导体(安徽)有限公司,成立于2024年,位于合肥市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本613.33万人民币。通过天眼查大数据分析,一塔半导体(安徽)有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目1次,知识产权方面有商标信息11条,专利信息6条,此外企业还拥有行政许可2个。

本文源自:金融界